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電子行業(yè)：半導(dǎo)體設(shè)備市場持續(xù)增長

2020-12-21

半導(dǎo)體制程升級和器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜化推動半導(dǎo)體設(shè)備市場不斷發(fā)展：隨著半導(dǎo)體制程向5nm、3nm以及更先進的工藝發(fā)展，半導(dǎo)體的制造工序日趨復(fù)雜，20nm工藝所需工序約為1000道，而7nm工藝所需工序已超過1400道，這意味著需要更多刻蝕、薄膜沉積以及配套的光刻、清洗等半導(dǎo)體設(shè)備參與半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)。同時，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于高度復(fù)雜化，例如NAND閃存已進入3D時代，疊堆層數(shù)也逐步向128層發(fā)展，每層均需要經(jīng)過光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝步驟，催生出更多相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備的應(yīng)用需求。此外，3D結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對深寬比、選擇性等半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)指標(biāo)提出了更高的要求，從而為半導(dǎo)體設(shè)備帶來了新的附加值。

　　全球特別是中國半導(dǎo)體制造規(guī)模的不斷擴張，顯著提升了相關(guān)設(shè)備市場需求：當(dāng)前，國內(nèi)晶圓建廠潮愈演愈烈，半導(dǎo)體制造產(chǎn)線規(guī)模加速擴張。在2017——2020年間，全球?qū)⒂?2座新建晶圓廠投入營運，其中我國大陸地區(qū)新建晶圓廠26座，占比達(dá)42%。未來，我國在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)有望繼續(xù)保持高強度投入，有望帶動半導(dǎo)體制造產(chǎn)能持續(xù)提升，2022年，我國大陸地區(qū)的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能有望超過韓國，躍升為全球第二，僅次于我國臺灣地區(qū)，屆時大陸地區(qū)的半導(dǎo)體制造產(chǎn)能將達(dá)410萬片/月，在全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的占比達(dá)17.15%，2019-2022年我國大陸地區(qū)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的CAGR為14.81%，顯著高于同期全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的增長（CAGR=7.01%）。隨著下游半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)的陸續(xù)投產(chǎn)，配套的半導(dǎo)體設(shè)備市場需求有望同步提升。

　　半導(dǎo)體設(shè)備市場整體呈現(xiàn)穩(wěn)步增長，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備重要性和價值日益提升：受到半導(dǎo)體工藝制程的升級、半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化以及下游晶圓制造產(chǎn)能擴張的推動，半導(dǎo)體設(shè)備市場有望保持穩(wěn)步增長。晶圓制造設(shè)備市場在半導(dǎo)體設(shè)備市場的占比約81%，其中刻蝕、光刻和薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備，分別占晶圓制造設(shè)備價值量約24%、23%和18%的比重。同時，刻蝕和薄膜沉積在半導(dǎo)體制程升級過程中的加工步驟顯著增多，隨著半導(dǎo)體制程升級的推進，刻蝕和薄膜沉積設(shè)備正成為更關(guān)鍵且投資占比較高的設(shè)備。

　　半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度較高，國產(chǎn)替代空間廣闊：目前，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場目前主要由國外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局。2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場中，應(yīng)用材料、阿斯麥、東京電子、泛林半導(dǎo)體、科天半導(dǎo)體的市占率分別為17.27%、14.74%、13.45%、13.40%、5.19%。

　　目前我國半導(dǎo)體設(shè)備市場的自給率較低，2018年國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約為109億元，自給率約為13%，國產(chǎn)替代的空間廣闊。