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電子行業：半導體設備市場持續增長

2020-12-21

半導體制程升級和器件結構復雜化推動半導體設備市場不斷發展：隨著半導體制程向5nm、3nm以及更先進的工藝發展，半導體的制造工序日趨復雜，20nm工藝所需工序約為1000道，而7nm工藝所需工序已超過1400道，這意味著需要更多刻蝕、薄膜沉積以及配套的光刻、清洗等半導體設備參與半導體制造環節。同時，半導體器件的結構也趨于高度復雜化，例如NAND閃存已進入3D時代，疊堆層數也逐步向128層發展，每層均需要經過光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝步驟，催生出更多相關半導體設備的應用需求。此外，3D結構的半導體器件往往需要很小的通孔連接幾十至一百余層硅，因此對深寬比、選擇性等半導體設備技術指標提出了更高的要求，從而為半導體設備帶來了新的附加值。

　　全球特別是中國半導體制造規模的不斷擴張，顯著提升了相關設備市場需求：當前，國內晶圓建廠潮愈演愈烈，半導體制造產線規模加速擴張。在2017——2020年間，全球將有62座新建晶圓廠投入營運，其中我國大陸地區新建晶圓廠26座，占比達42%。未來，我國在半導體制造環節有望繼續保持高強度投入，有望帶動半導體制造產能持續提升，2022年，我國大陸地區的半導體制造產能有望超過韓國，躍升為全球第二，僅次于我國臺灣地區，屆時大陸地區的半導體制造產能將達410萬片/月，在全球半導體制造產能的占比達17.15%，2019-2022年我國大陸地區半導體制造產能的CAGR為14.81%，顯著高于同期全球半導體制造產能的增長（CAGR=7.01%）。隨著下游半導體制造環節的陸續投產，配套的半導體設備市場需求有望同步提升。

　　半導體設備市場整體呈現穩步增長，刻蝕和薄膜沉積設備重要性和價值日益提升：受到半導體工藝制程的升級、半導體器件結構的復雜化以及下游晶圓制造產能擴張的推動，半導體設備市場有望保持穩步增長。晶圓制造設備市場在半導體設備市場的占比約81%，其中刻蝕、光刻和薄膜沉積設備是半導體前道生產工藝中最重要的三類設備，分別占晶圓制造設備價值量約24%、23%和18%的比重。同時，刻蝕和薄膜沉積在半導體制程升級過程中的加工步驟顯著增多，隨著半導體制程升級的推進，刻蝕和薄膜沉積設備正成為更關鍵且投資占比較高的設備。

　　半導體設備市場集中度較高，國產替代空間廣闊：目前，全球半導體設備市場目前主要由國外廠商主導，行業呈現高度壟斷的競爭格局。2018年全球半導體設備市場中，應用材料、阿斯麥、東京電子、泛林半導體、科天半導體的市占率分別為17.27%、14.74%、13.45%、13.40%、5.19%。

　　目前我國半導體設備市場的自給率較低，2018年國產半導體設備銷售額約為109億元，自給率約為13%，國產替代的空間廣闊。